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NAND FlAsh和NOR FlAsh的区别详解

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可...

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是ReadOnly Memory的缩写,RAM是RandomAccess Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类,一种称为静态RAM(Sta...

一、NAND flash和NOR flash的性能比较 1、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。 二、NAND fl...

简单说明:NAND FLASH内部结构是用与非门组成存储单元的。有非易失性,读写速度快,而且比较容易做到大容量。目前单片NAND FLASH存储容量可以达到8Gbit(1GByte)。NOR FLASH也有非易失性。随机存储速度比NAND FLASH 快得多。所以一般用NOR FLASH...

[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G、16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的。这二种存储 关键词:NOR flashNand flashFlaSh 我们使用的智能手机除了...

性能差别:对于Flash的写入速度,其实是写入和擦除的综合速度,Nand Flash擦除很简单,而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下,Flash器件写入只能把1写为0,而不能把0写为1,也就说,其写入的方式是按照逻辑与来进行的,譬如原来地址上的...

NOR flash启动: NOR FLASH是intel公司推出的一款总线型FLASH存储器,在烧写bootloader的时候从地址0x00000000开始烧写,当系统复位后,由于是总线形式,所以能直接启动bootloader,然后启动内核、文件系统,但是直接在NORflash上运行,速度和大...

1、SPI Flash (即SPI Nor Flash)是Nor Flash的一种; 2、NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel)NOR Flash和串行(SPI)NOR Flash; 3、SPI Nor Flash每次传输一个bit位的数据,parallel Nor Flash每次传输多个bit位的数据(有x...

Flash Memory按内部构架和实现技术可以分为AND、NAND和NOR等几种,但目前以擅长存储代码的NOR Flash和擅长存储数据的NAND Flash为主流。 NOR Flash是一种非易失性的存储器,具有存储容量大、数据保存时间长的特点,其擦写次数多达10万次,数据更...

nand flash:适合大容量数据存储,类似硬盘; nor flash:适合小容量的程序或数据存储,类似小硬盘; sdram:主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算,类似内存。 区别: nor flash:可以直接执行指令,读取速度较快,写入不太方便,擦除速度...

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